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参数资料
| 型号： | IXTK250N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 430nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 730W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 散装 |
High Current
MegaMOS TM FET
IXTK 250N10
V DSS
I D25
R DS(on)
= 100 V
= 250 A
= 5 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Symbol
Test conditions
Maximum ratings
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C; R GS = 1.0 M ?
Continuous
100
100
±20
V
V
V
TO-264 AA (IXTK)
V GSM
I D25
I D(RMS)
I DM
I AR
E AR
E AS
Transient
T C = 25 ° C MOSFET chip capability
External lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
±30
250
75
1000
90
80
4.0
V
A
A
A
A
mJ
J
G
D
G = Gate
S = Source
S
D = Drain
Tab = Drain
D (TAB)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
5
V/ns
P D
T J
T JM
T stg
T C
= 25 ° C
730
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
Features
T L
M d
Weight
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
Mounting torque
TO-264
300
0.7/6
10
° C
Nm/lb.in.
g
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? International standard package
? Fast switching times
Applications
? Motor controls
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
? DC choppers
? Switched-mode power supplies
? DC-DC Converters
V DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
100
V
? Linear Regulators
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ±20 V DC, V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25°C
T J = 125°C
2.0
4.0
±200
50
1
V
nA
μ A
mA
Advantages
? Easy to mount with one screw
(isolated mounting screw hole)
? Space savings
? High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 90 A
Pulse test, t ≤ 300 ms, duty cycle d ≤ 2%
5 m ?
? 2004 IXYS All rights reserved
DS99022A(04/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK32P60P | MOSFET P-CH 600V 32A TO-264 |
| IXTK33N50 | MOSFET N-CH 500V 33A TO-264 |
| IXTK46N50L | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 |
| IXTK550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A TO-264 |
| IXTK600N04T2 | MOSFET N-CH 40V 600A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK32P60P | 功能描述:MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK33N45 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264AA |
| IXTK33N50 | 功能描述:MOSFET 33 Amps 500V 0.17 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK40P50P | 功能描述:MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK46N50L | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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