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参数资料
| 型号： | IXTK250N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 430nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 730W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 散装 |
IXTK 250N10
250
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
360
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
225
200
175
150
125
100
75
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
320
280
240
200
160
120
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
50
80
25
0
5V
40
0
5V
0
0.2
0.4
0.6 0.8
V D S - Volts
1
1.2
1.4
1.6
0
0.5
1
1.5
2 2.5 3
V D S - Volts
3.5
4
4.5
5
250
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
2
Fig. 4. Norm alized R DS(on ) vs. Junction
Tem perature
225
200
175
150
V GS = 10V
9V
8V
7V
1.8
1.6
1.4
I D = 90A
125
100
6V
1.2
V GS = 10V
V GS = 15V
75
50
1
25
0
5V
0.8
0.6
0
0.5
1
1.5
V D S - Volts
2
2.5
3
-50
-25
0 25 50 75 100
T J - Degrees Centigrade
125
150
270
240
210
180
150
120
90
60
30
0
Fig. 5. Drain Current vs. Case
Tem perature
250
225
200
175
150
125
100
75
50
25
0
Fig. 6. Input Adm ittance
T J = 125oC
25oC
-40oC
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
3.5
4
4.5
5 5.5
V G S - Volts
6
6.5
7
? 2004 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK32P60P | MOSFET P-CH 600V 32A TO-264 |
| IXTK33N50 | MOSFET N-CH 500V 33A TO-264 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK32P60P | 功能描述:MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK33N45 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264AA |
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| IXTK46N50L | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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