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参数资料
| 型号： | IXTK250N10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 250A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 90A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 430nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 730W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 散装 |
IXTK 250N10
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Characteristic values
Min. Typ. Max.
TO-264 AA Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V DS = 10 V; I D = 90 A, pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 90 A
R G = 1.0 ? (External)
75
110
12700
3700
1490
35
40
120
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
t f
55
ns
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Min.
Inches
Max.
Q g(on)
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
430
70
225
nC
nC
nC
A
A1
A2
b
b1
b2
4.82 5.13
2.54 2.89
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
c
0.53 0.83
.021 .033
R thJC
R thCK
0.15
0.17 K/W
K/W
D
E
e
J
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00 0.25
1.020 1.030
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
Source-Drain Diode
Ratings and Characteristics
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
0.00 0.25
20.32 20.83
2.29 2.59
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
3.81 4.32
1.78 2.29
6.04 6.30
1.57 1.83
.000 .010
.800 .820
.090 .102
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
.070 .090
.238 .248
.062 .072
Symbol
Test Conditions
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
Q rr
V GS = 0V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = 90 A, V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 30A, -di/dt = 100 A/μs, V R = 50 V
150
2
250
1000
1.2
A
A
V
ns
μ C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
6,404,065B1
6,162,665
6,534,343 6,583,505
of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
6,306,728B1
6,259,123B1 6,306,728B1 6,683,344
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK32P60P | MOSFET P-CH 600V 32A TO-264 |
| IXTK33N50 | MOSFET N-CH 500V 33A TO-264 |
| IXTK46N50L | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 |
| IXTK550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A TO-264 |
| IXTK600N04T2 | MOSFET N-CH 40V 600A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK32P60P | 功能描述:MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK33N45 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264AA |
| IXTK33N50 | 功能描述:MOSFET 33 Amps 500V 0.17 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK40P50P | 功能描述:MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK46N50L | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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