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参数资料
| 型号： | IXTK33N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 33A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 416W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
High Current
MegaMOS TM FET
N-Channel Enhancement Mode
Preliminary data
IXTK 33N50
V DSS = 500 V
I D (cont) = 33 A
R DS(on) = 0.17 ?
Symbol
Test conditions
Maximum ratings
TO-264 AA
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C; R GS = 1.0 M ?
Continuous
500
500
±20
V
V
V
V GSM
I D25
I DM
Transient
T C = 25°C
T C = 25°C, pulse width limited by T JM
±30
33
132
V
A
A
G
D
S
D (TAB)
P D
T
J
T C = 25°C
416
-55 ... +150
W
°C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
T JM
150
°C
T
stg
-55 ... +150
°C
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
Weight
Max lead temperature for soldering
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
10
300
g
° C
Features
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell
structure
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
? International standard package
? Fast switching times
V DSS
V GS = 0 V, I D = 5 mA
500
V
Applications
V GS(th)
BV DSS temperature coefficient
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.0
0.087
4.0
%/K
V
? Motor controls
? DC choppers
? Uninterruptable Power Supplies
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS(th) temperature coefficient
V GS = ± 20 V DC, V DS = 0
V DS = 0.8 V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
T J = 25°C
T J = 125°C
-0.25
± 100
200
3
0.17
%/K
nA
μ A
mA
?
(UPS)
? Switch-mode and resonant-mode
Advantages
? Easy to mount with one screw
(isolated mounting screw hole)
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
95513C (4/97)
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK46N50L | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 |
| IXTK550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A TO-264 |
| IXTK600N04T2 | MOSFET N-CH 40V 600A TO-264 |
| IXTK60N50L2 | MOSFET N-CH 60A 500V TO-264 |
| IXTK62N25 | MOSFET N-CH 250V 62A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK40P50P | 功能描述:MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK46N50L | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK550N055T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXTK5N250 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 2500V 5A TO264 |
| IXTK600N04T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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