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参数资料
| 型号： | IXTK33N50 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 33A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 170 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 250nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 416W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264AA |
| 包装： | 管件 |
IXTK 33N50
80
70
60
T J = 25°C
V GS = 10 V
9V
8V
7V
50
40
T J = 125°C
V GS = 10 V
9V
8V
7V
6V
50
40
30
20
10
0
6V
5V
30
20
10
0
5V
0
4
8
12
16
20
0
4
8
12
16
20
V DS - Volts
Figure 1. Output Characteristics at 25 O C
V DS - Volts
Figure 2. Output Characteristics at 125 O C
3.0
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 10 V
T J = 125°C
T J = 25°C
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
V GS = 10 V
I D = 33 A
I D = 16.5 A
0
10
20
30
40
50
60
70
80
25
50
75
100
125
150
Figure 3. R DS(on) normalized to 16.5A/25 C vs. I D
40
35
30
25
20
15
10
5
I D - Amperes
O
T J - Degrees C
Figure 4. R DS(on) normalized to 16.5A/25 O C vs. T J
50
40
30
20
T J = 125 o C
10
T J = 25 o C
0
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
2
3
4
5
6
7
8
T C - Degrees C
Figure 5. Drain Current vs. Case Temperature
? 2000 IXYS All rights reserved
V GS - Volts
Figure 6. Admittance Curves
3-4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK46N50L | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 |
| IXTK550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A TO-264 |
| IXTK600N04T2 | MOSFET N-CH 40V 600A TO-264 |
| IXTK60N50L2 | MOSFET N-CH 60A 500V TO-264 |
| IXTK62N25 | MOSFET N-CH 250V 62A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK40P50P | 功能描述:MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK46N50L | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK550N055T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXTK5N250 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 2500V 5A TO264 |
| IXTK600N04T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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