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参数资料
| 型号： | IXTK46N50L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 46A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 500mA，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
Linear Power MOSFET IXTK46N50L
With Extended FBSOA IXTX46N50L
N-Channel Enhancement Mode
V DSS
I D25
R DS(on)
= 500
= 46
≤ 0.16
V
A
Ω
TO-264 (IXTK)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
500
V
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
500
V
G
V GS
V GSM
Continuous
Transient
± 30
± 40
V
V
D
S
(TAB)
I D25
I DM
I AR
E AR
E AS
P D
T J
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
46
100
46
60
1.5
700
-55 to +150
A
A
A
mJ
J
W
° C
PLUS247 (IXTX)
TAB
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
150
-55 to +150
300
260
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
M d
F c
Mounting torque
Mounting force
(TO-264)
(PLUS247 TM )
1.13/10 Nm/lb.in.
20...120/4.5...27 N/lb.
Features
Weight
PLUS247
TO-264
6
10
g
g
Designed for linear operation
International standard package
Unclamped Inductive switching (UIS)
rated
Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
Applications
Programmable loads
BV DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
500
3
6
± 200
V
V
nA
Current regulators
DC-DC converters
Battery chargers
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS T J = 25 ° C
V GS = 0 V T J = 125 ° C
V GS = 20 V, I D = 0.5 I D25 , Note 1
50
1
0.16
μ A
mA
Ω
DC choppers
Temperature and lighting controls
Advantages
Easy to mount
Space savings
High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99350A(03/07)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A TO-264 |
| IXTK600N04T2 | MOSFET N-CH 40V 600A TO-264 |
| IXTK60N50L2 | MOSFET N-CH 60A 500V TO-264 |
| IXTK62N25 | MOSFET N-CH 250V 62A TO-264 |
| IXTK75N30 | MOSFET N-CH 300V 75A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK550N055T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXTK5N250 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 2500V 5A TO264 |
| IXTK600N04T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXTK60N50L2 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK62N25 | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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