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参数资料
| 型号： | IXTK46N50L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 46A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 500mA，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 6V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 260nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXTK46N50L
IXTX46N50L
50
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
100
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
45
40
V GS = 20V
18V
16V
14V
90
80
V GS = 20V
18V
16V
35
70
30
25
20
12V
60
50
40
14V
12V
15
10
10V
30
20
5
0
9V
8V
7V
10
0
10V
9V
8V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to 0.5 I D25 Value
vs. Junction Tem perature
50
V GS = 20V
3.1
45
18V
2.8
V GS = 20V
40
16V
14V
2.5
35
30
12V
2.2
1.9
I D = 46A
25
20
15
10
5
0
10V
9V
8V
7V
1.6
1.3
1.0
0.7
0.4
I D = 23A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
0.5 I D25 Value vs. I D
50
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.8
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
V GS = 20V
T J = 125oC
T J = 25oC
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100
120
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2007 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A TO-264 |
| IXTK600N04T2 | MOSFET N-CH 40V 600A TO-264 |
| IXTK60N50L2 | MOSFET N-CH 60A 500V TO-264 |
| IXTK62N25 | MOSFET N-CH 250V 62A TO-264 |
| IXTK75N30 | MOSFET N-CH 300V 75A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK550N055T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXTK5N250 | 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 2500V 5A TO264 |
| IXTK600N04T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| IXTK60N50L2 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK62N25 | 功能描述:MOSFET 62 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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