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参数资料
| 型号： | IXTK32P60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 600V 32A TO-264 |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarP™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 196nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 890W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
PolarP TM
Power MOSFET
IXTK32P60P
IXTX32P60P
V DSS
I D25
R DS(on)
=
=
≤
- 600V
- 32A
350m Ω
P-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-264 (IXTK)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
- 600
- 600
V
V
V GSS
V GSM
Continuous
Transient
± 20
± 30
V
V
G
D
S
(TAB)
I D25
T C = 25 ° C
- 32
A
I DM
I AR
E AS
dV/dt
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150 ° C
- 90
- 32
3.5
10
A
A
J
V/ns
PLUS247 (IXTX)
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
890
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
T L
T SOLD
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10s
300
260
° C
° C
M d
Mounting force
Mounting torque
(PLUS247)
(TO-264)
20..120/4.5..27
1.13/10
N/lb.
Nm/lb.in.
Weight
PLUS247
TO-264
6
10
g
g
Features
International standard packages
Rugged PolarP TM process
Avalanche Rated
Low package inductance
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
BV DSS
V GS = 0V, I D = - 250 μ A
- 600
V
High side switching
V GS(th)
V DS = V GS , I D = - 250 μ A
- 2.5
- 4.5
V
Push-pull amplifiers
DC Choppers
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 100 nA
Automatic test equipment
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS
V GS = 0V
V GS = -10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
T J = 125 ° C
- 50 μ A
- 250 μ A
350 m Ω
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99990(5/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK33N50 | MOSFET N-CH 500V 33A TO-264 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXTK46N50L | 功能描述:MOSFET 44 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK550N055T2 | 功能描述:功率驱动器IC GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
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