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参数资料
| 型号： | IXTK32P60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 600V 32A TO-264 |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarP™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 196nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 890W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXTK32P60P
IXTX32P60P
-32
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
V GS = -10V
-70
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
V GS = -10V
-28
-24
-20
- 7V
- 6V
-60
-50
- 7V
- 6V
-40
-16
-30
-12
-8
- 5V
-20
-4
0
-10
0
- 5V
0
-1
-2
-3
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
0
-3
-6
-9
-12
-15
-18
-21
-24
-27
-30
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = -16A vs.
Junction Temperature
-32
V GS = -10V
2.4
-28
-24
-7V
- 6V
2.2
2.0
V GS = -10V
1.8
-20
-16
-12
-8
- 5V
1.6
1.4
1.2
1.0
I D = - 32A
I D = -16A
0.8
-4
0
0.6
0.4
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.2
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = -16A vs.
Drain Current
-36
-32
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.0
T J = 125oC
-28
1.8
-24
1.6
1.4
V GS = -10V
-20
-16
-12
1.2
-8
1.0
0.8
T J = 25oC
-4
0
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T J - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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参数描述 |
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