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参数资料
| 型号： | IXTK32P60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 600V 32A TO-264 |
| 产品目录绘图： | TO-264(AA) Package |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarP™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 32A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 350 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 196nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 890W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXTK32P60P
IXTX32P60P
-45
Fig. 7. Input Admittance
60
Fig. 8. Transconductance
-40
-35
-30
-25
55
50
45
40
35
T J = - 40oC
25oC
-20
-15
-10
T J = 125oC
25oC
- 40oC
30
25
20
15
125oC
10
-5
0
5
0
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-100
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
-10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-9
-8
-7
-6
-5
-4
V DS = - 300V
I D = -16A
I G = -1mA
-30
-20
-10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
-3
-2
-1
0
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
-2.8
-3.2
-3.6
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
100,000
10,000
1,000
100
10
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
- 100.0
- 10.0
- 1.0
- 0.1
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
R DS(on) Limit
25μs
100μs
1ms
10ms
DC, 100ms
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
- 10
- 100
- 1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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