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参数资料
| 型号： | IXTK22N100L |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 22A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 600 毫欧 @ 11A，20V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 270nC @ 15V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7050pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 700W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXTK22N100L
IXTX22N100L
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-264 Outline
g fs
V DS = 20V, I D = 0.5 ? I DSS , Note 1
4.5
7.0
9.5
S
C iss
7050
pF
C oss
C rss
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
600
100
pF
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Resistive Switching Times
V GS = 15V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I DSS
R G = 2 Ω (External)
36
35
80
50
ns
ns
ns
ns
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
4 - Drain
Q g(on)
270
nC
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Min.
Inches
Max.
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 15V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I DSS
70
110
0.15
nC
nC
0.18 ° C/W
° C/W
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
4.82 5.13
2.54 2.89
2.00 2.10
1.12 1.42
2.39 2.69
2.90 3.09
0.53 0.83
25.91 26.16
.190 .202
.100 .114
.079 .083
.044 .056
.094 .106
.114 .122
.021 .033
1.020 1.030
E
e
J
K
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00 0.25
0.00 0.25
.780 .786
.215 BSC
.000 .010
.000 .010
Safe-Operating-Area Specification
L
L1
20.32 20.83
2.29 2.59
.800 .820
.090 .102
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
P
Q
Q1
R
3.17 3.66
6.07 6.27
8.38 8.69
3.81 4.32
.125 .144
.239 .247
.330 .342
.150 .170
SOA
V DS = 800V, I D = 0.3A, T C = 90 ° C , tp = 5s
240
W
R1
S
1.78 2.29
6.04 6.30
.070 .090
.238 .248
T
1.57 1.83
.062 .072
PLUS 247 TM Outline
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
t rr
V GS = 0V
Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
I F = I S , -di/dt = 100A/ μ s, V R = 100V, V GS = 0V
1000
22
50
1.5
A
A
V
ns
Terminals:
1 - Gate
2 - Drain
3 - Source
Dim.
Millimeter
Min. Max.
Inches
Min. Max.
Note
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
A
A 1
A 2
b
b 1
b 2
C
D
E
e
L
L1
Q
4.83 5.21
2.29 2.54
1.91 2.16
1.14 1.40
1.91 2.13
2.92 3.12
0.61 0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81 4.32
5.59 6.20
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
R
4.32 4.83
.170 .190
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2
6,759,692
7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK250N10 | MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA |
| IXTK32P60P | MOSFET P-CH 600V 32A TO-264 |
| IXTK33N50 | MOSFET N-CH 500V 33A TO-264 |
| IXTK46N50L | MOSFET N-CH 500V 46A TO-264 |
| IXTK550N055T2 | MOSFET N-CH 55V 550A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK250N10 | 功能描述:MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK32P60P | 功能描述:MOSFET -32 Amps -600V 0.350 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK33N45 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 33A I(D) | TO-264AA |
| IXTK33N50 | 功能描述:MOSFET 33 Amps 500V 0.17 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK40P50P | 功能描述:MOSFET -40.0 Amps -500V 0.230 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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