- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录463 > IXTK160N20 (IXYS)MOSFET N-CH 200V 160A TO-264 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTK160N20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 160A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 415nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 730W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
High Current
MegaMOS TM FET
IXTK 160N20
V DSS
I D25
R DS(on)
= 200 V
= 160 A
= 13 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Symbol
Test conditions
Maximum ratings
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25°C to 150°C
T J = 25°C to 150°C; R GS = 1.0 M ?
Continuous
200
200
±20
V
V
V
TO-264 AA (IXTK)
V GSM
I D25
I D(RMS)
I DM
I AR
E AR
E AS
Transient
T C = 25 ° C MOSFET chip capability
External lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
±30
160
75
640
90
80
4.0
V
A
A
A
A
mJ
J
G
D
G = Gate
S = Source
S
D = Drain
Tab = Drain
D (TAB)
dv/dt
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
5
V/ns
P D
T J
T JM
T stg
T C
= 25 ° C
730
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
Features
T L
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s
300
° C
M d
Weight
Mounting torque
TO-264
0.7/6
10
Nm/lb.in.
g
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Rugged polysilicon gate cell structure
? International standard package
? Fast switching times
Applications
Symbol Test Conditions
(T J = 25°C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
? Motor controls
? DC choppers
V DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
200
V
? Switched-mode power supplies
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ±20 V DC, V DS = 0
2.0
4.0
±200
V
nA
Advantages
? Easy to mount with one screw
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 25°C
T J = 125°C
50 μ A
3 mA
(isolated mounting screw hole)
? Space savings
? High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 ms, duty cycle d ≤ 2%
13 m ?
? 2004 IXYS All rights reserved
DS99014A(01/04)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK180N15P | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 |
| IXTK180N15 | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 |
| IXTK200N10L2 | MOSFET 100V 200A TO-264 |
| IXTK200N10P | MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 |
| IXTK21N100 | MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK170N10P | 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK170P10P | 功能描述:MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK17N120L | 功能描述:MOSFET 17 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK180N15 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK180N15P | 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。