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参数资料
| 型号： | IXTK160N20 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 160A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | MegaMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 415nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 730W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXTK 160N20
160
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
V GS = 10V
320
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
V GS = 10V
140
9V
280
8V
8V
120
7V
240
100
80
200
160
7V
60
40
20
6V
5V
120
80
40
6V
5V
0
0
0
0.4
0.8 1.2
V D S - Volts
1.6
2
0
1
2
3 4 5
V D S - Volts
6
7
8
160
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
2.6
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
140
120
100
80
60
40
20
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = 10V
I D = 160A
I D = 80A
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
2.6
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.5 I D25 Value vs. I D
V GS = 10V
T J = 125oC
T J = 25oC
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
Tem perature
0
40
80
120 160 200
I D - Amperes
240
280
320
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2004 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK180N15P | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 |
| IXTK180N15 | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 |
| IXTK200N10L2 | MOSFET 100V 200A TO-264 |
| IXTK200N10P | MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 |
| IXTK21N100 | MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK170N10P | 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK170P10P | 功能描述:MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK17N120L | 功能描述:MOSFET 17 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK180N15 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK180N15P | 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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