参数资料
型号: IXTK160N20
厂商: IXYS
文件页数: 5/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 200V 160A TO-264
标准包装: 25
系列: MegaMOS™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 160A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 13 毫欧 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 415nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 12900pF @ 25V
功率 - 最大: 730W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
供应商设备封装: TO-264
包装: 管件
IXTK 160N20
Fig . 13. M axim u m T r an s ie n t T h e r m al Re s is tan ce
0.18
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
1
10
10 0
10 0 0
Puls e W idth - millis ec onds
? 2004 IXYS All rights reserved
相关PDF资料
PDF描述
IXTK180N15P MOSFET N-CH 150V 180A TO-264
IXTK180N15 MOSFET N-CH 150V 180A TO-264
IXTK200N10L2 MOSFET 100V 200A TO-264
IXTK200N10P MOSFET N-CH 100V 200A TO-264
IXTK21N100 MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTK170N10P 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK170P10P 功能描述:MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK17N120L 功能描述:MOSFET 17 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK180N15 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTK180N15P 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube