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参数资料
| 型号： | IXTK150N15P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 150A TO-264 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 13 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 190nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 714W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
IXTK 150N15P
IXTQ 150N15P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
TO-264 (IXTK) Outline
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V DS = 10 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I D25
R G = 3.3 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
55
80
5800
1730
400
30
33
100
28
190
40
105
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R thJC
0.21 ° C/W
R thCK
R thCS
TO-3P
TO-264
0.21
0.15
° C/W
° C/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
Symbol
Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min. Typ. Max.
TO-3P (IXTQ) Outline
I S
I SM
V SD
t rr
Q RM
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 25 A
-di/dt = 100 A/ μ s
V R = 100 V, V GS = 0 V
150
2.3
150
340
1.5
A
A
V
ns
μ C
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2 6,759,692
6,710,463 6,771,478 B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTK160N20 | MOSFET N-CH 200V 160A TO-264 |
| IXTK180N15P | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 |
| IXTK180N15 | MOSFET N-CH 150V 180A TO-264 |
| IXTK200N10L2 | MOSFET 100V 200A TO-264 |
| IXTK200N10P | MOSFET N-CH 100V 200A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTK160N20 | 功能描述:MOSFET 160 Amps 200V 0.013 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK170N10P | 功能描述:MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK170P10P | 功能描述:MOSFET -170.0 Amps -100V 0.012 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK17N120L | 功能描述:MOSFET 17 Amps 1200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTK180N15 | 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.01 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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