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参数资料
| 型号： | IXTP130N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 130A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.1 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 104nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 360W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
TrenchMV TM
Power MOSFET
IXTA130N10T
IXTP130N10T
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
100V
130A
9.1m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 (IXTA)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
G
S
V DSS
V DGR
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
100
100
± 30
V
V
V
TO-220 (IXTP)
(TAB)
D
I D25
I LRMS
I DM
I A
E AS
P D
T C = 25 ° C
Lead Current Limit, RMS
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
130
75
350
65
500
360
A
A
A
A
mJ
W
G
G = Gate
S = Source
S
(TAB)
D = Drain
TAB = Drain
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6mm (0.062 in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
Mounting torque (TO-220)
TO-220
TO-263
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
1.13 / 10
3.0
2.5
° C
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
Features
Ultra-low On Resistance
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
175 ° C Operating Temperature
Advantages
Easy to mount
Space savings
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
High power density
Applications
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
100
V
Automotive
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
V GS = 0V
T J = 150 ° C
2.5
4.5
± 200
5
250
V
nA
μ A
μ A
- Motor Drives
- 42V Power Bus
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary Switch for 24V and 48V
Systems
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 25A, Notes 1, 2
9.1
m Ω
Distributed Power Architechtures
and VRMs
Electronic Valve Train Systems
High Current Switching
Applications
High Voltage Synchronous Recifier
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99649B(07/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3709ZPBF | MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB |
| GLEA24E7B | SWTCH WOBBLE/COIL SPRING DPDT |
| IXFP12N50P | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 |
| CE3291-49.152 | OSC 49.152 MHZ 5.0V +/-25PPM SMD |
| GLEB24E7B | SWTCH WOBBLE/COIL SPRING DPDT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP140N055T2 | 功能描述:MOSFET 140 Amps 0V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP140P05T | 功能描述:MOSFET -140 Amps -50V 0.008 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP14N60P | 功能描述:MOSFET 14.0 Amps 600 V 0.55 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP14N60PM | 功能描述:MOSFET Polar MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP152N085T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id152 BVdass85 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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