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参数资料
| 型号： | IRF3709ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 87A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.3 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2130pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1518 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF3709ZPBF |
PD -95465
IRF3709ZPbF
IRF3709ZSPbF
Applications
l High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
IRF3709ZLPbF
HEXFET ? Power MOSFET
V DSS R DS(on) max Qg
l
Lead-Free
30V
6.3m :
17nC
Benefits
l
l
Low R DS(on) at 4.5V V GS
Low Gate Charge
l
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
TO-220AB
IRF3709Z
D 2 Pak
IRF3709ZS
TO-262
IRF3709ZL
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
V GS
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
P D @T C = 100°C
T J
T STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting Torque, 6-32 or M3 screw
30
± 20
87
62
350
79
40
0.53
-55 to + 175
300 (1.6mm from case)
10 lbf in (1.1N m)
V
A
W
W/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
–––
–––
1.89
40
°C/W
Notes ? through ? are on page 12
www.irf.com
1
6/30/04
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PDF描述 |
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参数描述 |
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