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参数资料
| 型号： | IRF3709ZPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet TO-220AB |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 87A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.3 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.25V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2130pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1518 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | *IRF3709ZPBF |
IRF3709Z/S/LPbF
9.00
16
8.00
7.00
T J = 125°C
Vgs = 10V
14
12
10
I D = 21A
T J = 125°C
8
6.00
5.00
T J = 25°C
6
4
T J = 25°C
2
4.00
10.0
20.0
30.0
40.0
50.0
60.0
70.0
0
ID, Drain Current (A)
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
Fig 12. On-Resistance vs. Drain Current
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Id
Fig 13. On-Resistance vs. Gate Voltage
50K ?
Vds
- DS
12V
.2 μ F
.3 μ F
D.U.T.
+
V
Vgs
250
ID
V GS
3mA
I G I D
Current Sampling Resistors
Vgs(th)
Qgs1 Qgs2
Qgd
Qgodr
200
TOP 5.4A
8.0A
BOTTOM 17A
150
Fig 14a&b. Basic Gate Charge Test Circuit
and Waveform
V (BR)DSS
15V
100
50
tp
VDS
L
DRIVER
I AS
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
0
25
50 75 100 125 150
Starting T J , Junction Temperature (°C)
175
Fig 15a&b. Unclamped Inductive Test circuit
and Waveforms
6
Fig 16. Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLEA24E7B | SWTCH WOBBLE/COIL SPRING DPDT |
| IXFP12N50P | MOSFET N-CH 500V 12A TO-220 |
| CE3291-49.152 | OSC 49.152 MHZ 5.0V +/-25PPM SMD |
| GLEB24E7B | SWTCH WOBBLE/COIL SPRING DPDT |
| GLAC06A1B | SWITCH ROTARY SIDE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRF3709ZS | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3709ZSPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 6.3mOhm HEXFET 17nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRF3709ZSTRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3709ZSTRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRF3709ZSTRR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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