参数资料
型号: IRF3709ZPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 12/13页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 87A TO-220AB
产品目录绘图: IR Hexfet TO-220AB
标准包装: 50
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 87A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 6.3 毫欧 @ 21A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.25V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2130pF @ 15V
功率 - 最大: 79W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
产品目录页面: 1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: *IRF3709ZPBF
IRF3709Z/S/LPbF
D 2 Pak Tape & Reel Infomation
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TRR
1.60 (.063)
1.50 (.059)
4.10 (.161)
3.90 (.153)
1.60 (.063)
1.50 (.059)
0.368 (.0145)
0.342 (.0135)
FEED DIRECTION 1.85 (.073)
1.65 (.065)
11.60 (.457)
11.40 (.449)
15.42 (.609)
15.22 (.601)
24.30 (.957)
23.90 (.941)
TRL
10.90 (.429)
10.70 (.421)
1.75 (.069)
1.25 (.049)
16.10 (.634)
4.72 (.136)
4.52 (.178)
15.90 (.626)
FEED DIRECTION
330.00
(14.173)
MAX.
13.50 (.532)
12.80 (.504)
27.40 (1.079)
23.90 (.941)
4
60.00 (2.362)
MIN.
NOTES :
1. COMFORMS TO EIA-418.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION MEASURED @ HUB.
4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.
26.40 (1.039)
24.40 (.961)
3
30.40 (1.197)
MAX.
4
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Starting T J = 25°C, L = 0.42mH, R G = 25 ? ,
I AS = 17A.
? Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
? C oss eff. is a fixed capacitance that gives the same
charging time as C oss while V DS is rising from 0 to
80% V DSS .
? This is applied to D 2 Pak, when mounted on 1" square PCB (FR-
4 or G-10 Material). For recommended footprint and soldering
techniques refer to application note #AN-994.
? Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 42A.
? R θ is measured at T J of approximately 90°C.
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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12
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参数描述
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IRF3709ZSPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH 6.3mOhm HEXFET 17nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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