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参数资料
| 型号： | IXTP1R6N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 43W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTP 1R6N50P
IXTY 1R6N50P
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
TO-220 (IXTP) Outline
Min. Typ. Max.
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V DS = 20 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D =0.5 I D25
R G = 50 Ω (External)
0.7
1.3
140
20
2.6
20
26
45
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
t f
Q g(on)
Q gs
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
23
3.9
1.4
ns
nC
nC
Pins:
1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4 - Drain
Q gd
1.3
nC
R thJC
R thJS
(TO-220)
0.25
2.9
° C/W
° C/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Symbol
Test Conditions
Min. Typ. Max.
I S
V GS = 0 V
1.6
A
TO-252 AA (IXTY) Outline
I SM
V SD
t rr
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 1.6 A, -di/dt = 100 A/ μ s
400
5.0
1.5
A
V
ns
V R = 100V
Pins: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4 - Drain
Dim.
Millimeter
Inches
Min. Max.
Min.
Max.
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
E1
2.19
0.89
0
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
2.38
1.14
0.13
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
0.086
0.035
0
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
e
e1
2.28 BSC
4.57 BSC
0.090 BSC
0.180 BSC
H
L
9.40 10.42
0.51 1.02
0.370
0.020
0.410
0.040
L1
L2
L3
0.64
0.89
2.54
1.02
1.27
2.92
0.025
0.035
0.100
0.040
0.050
0.115
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by 4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344
6,727,585
one or moreof the following U.S. patents:
4,850,072
4,881,106
5,017,508
5,034,796
5,063,307
5,187,117
5,381,025
5,486,715
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,534,343
6,583,505
6,710,405B2
6,710,463
6,759,692
6,771,478 B2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP200N085T | MOSFET N-CH 85V 200A TO-220 |
| IXTP220N075T | MOSFET N-CH 75V 220A TO-220 |
| IXTP240N055T | MOSFET N-CH 55V 240A TO-220 |
| IXTP2R4N50P | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-220 |
| IXTP300N04T2 | MOSFET N-CH 40V 300A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP200N055T2 | 功能描述:MOSFET 200 Amps 55V 0.0042 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP200N075T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP200N085T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id200 BVdass85 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP-200N085T | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
| IXTP220N04T2 | 功能描述:MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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