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参数资料
| 型号： | IXTP2R4N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.75 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 240pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
PolarHV TM
Power MOSFET
IXTP 2R4N50P
IXTY 2R4N50P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 500
= 2.4
≤ 3.75
V
A
Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-220 (IXTP)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M Ω
500
500
V
V
V GSM
V GSM
Transient
Continuous
± 40
± 30
V
V
G
D S
(TAB)
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
2.4
4.5
A
A
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
2.4
8
100
10
A
mJ
mJ
V/ns
TO-252 AA (IXTY)
G
T J ≤ 150 ° C, R G = 50 Ω
S
P D
T C = 25 ° C
55
W
(TAB)
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
M d
Mounting torque
(TO-220)
1.13/10 Nm/lb.in.
Features
International standard packageS
Weight
TO-220
TO-252
4
0.8
g
g
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
500
V
Advantages
Easy to mount
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 25 μ A
V GS = ± 30 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.5
± 50
1
50
V
nA
μ A
μ A
Space savings
High power density
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25 , Note 1
3.75
Ω
DS99445E(04/06)
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP300N04T2 | MOSFET N-CH 40V 300A TO-220 |
| IXTP3N50P | MOSFET N-CH 500V 3.6A TO-220 |
| IXTP42N15T | MOSFET N-CH 150V 42A TO-220 |
| IXTP44N10T | MOSFET N-CH 100V 44A TO-220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP300N04T2 | 功能描述:MOSFET 300 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP30N08MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP30N08MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP30N10MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP30N10MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
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