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参数资料
| 型号： | IXTP42N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 42A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1880pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
TrenchHV TM
Power MOSFET
IXTA42N15T
IXTP42N15T
V DSS
I D25
R DS(on)
= 150V
= 42A
≤ 45m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263
Symbol
V DSS
V DGR
V GSM
Test Conditions
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Transient
Maximum Ratings
150
150
± 30
V
V
V
G
TO-220
S
(TAB)
I D25
I DM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
42
100
A
A
I A
E AS
P D
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
5
400
200
A
mJ
W
G
D
S
(TAB)
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6mm (0.062in.) from case for 10s
Plastic body for 10 seconds
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
TAB = Drain
M d
Weight
Mounting torque (TO-220)
TO-263
TO-220
1.13 / 10
2.5
3.0
Nm/lb.in.
g
g
Features
International standard packages
175°C Operating Temperature
Avalanche rated
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Easy to mount
Space savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
150
V
High power density
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 250 μ A
2.5
4.5
V
Applications
I GSS
I DSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS
± 100 nA
5 μ A
DC-DC converters
Battery chargers
R DS(on)
V GS = 0V T J = 150 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Notes 1, 2
38
150 μ A
45 m Ω
Switched-mode and resonant-mode
power supplies
DC choppers
AC motor drives
Uninterruptible power supplies
High speed power switching
applications
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
DS99799A(11/08)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP44N10T | MOSFET N-CH 100V 44A TO-220 |
| IXTP4N80P | MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220 |
| IXTP50N085T | MOSFET N-CH 85V 50A TO-220 |
| IXTP50N20PM | MOSFET N-CH 200V 20A TO-220 |
| IXTP64N055T | MOSFET N-CH 55V 64A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP42N25P | 功能描述:MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP44N10T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP44N15T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 150V 45 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP44N25T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 250V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP44N30T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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