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参数资料
| 型号： | IXTP42N15T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 42A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 42A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1880pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA42N15T
IXTP42N15T
45
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
120
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
40
V GS = 10V
9V
8V
100
V GS = 10V
9V
35
30
25
7V
80
8V
20
15
6V
60
40
7V
6V
10
20
5
0
5V
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
45
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
3.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 21A Value
vs. Junction Temperature
40
35
30
V GS = 10V
8V
7V
3.0
2.6
2.2
V GS = 10V
I D = 42A
25
6V
1.8
I D = 21A
20
15
10
1.4
1.0
5
0
5V
0.6
0.2
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
6.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 21A Value
vs. Drain Current
45
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
5.5
V GS = 10V
40
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
15V - - - -
T J = 175oC
T J = 25oC
35
30
25
20
15
10
5
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP44N10T | MOSFET N-CH 100V 44A TO-220 |
| IXTP4N80P | MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220 |
| IXTP50N085T | MOSFET N-CH 85V 50A TO-220 |
| IXTP50N20PM | MOSFET N-CH 200V 20A TO-220 |
| IXTP64N055T | MOSFET N-CH 55V 64A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP42N25P | 功能描述:MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP44N10T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 100V 25.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP44N15T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 150V 45 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP44N25T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 250V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP44N30T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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