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参数资料
| 型号： | IXTP50N085T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 50A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1460pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
Preliminary Technical Information
TrenchMV TM
Power MOSFET
IXTP50N085T
IXTY50N085T
V DSS =
I D25 =
R DS(on) ≤
85 V
50 A
23 m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-220 (IXTP)
D (TAB)
G
D S
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-252 (IXTY)
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M Ω
85
85
V
V
V GSM
Transient
± 20
V
G
I D25
I L
I DM
I AR
E AS
T C = 25 ° C
Package Current Limit, RMS TO-252
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
50
25
130
10
250
A
A
A
A
mJ
G = Gate
S = Source
Features
S
D (TAB)
D = Drain
TAB = Drain
dv/dt
P D
T J
T JM
T stg
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
T J ≤ 175 ° C, R G = 18 Ω
T C = 25 ° C
3
130
-55 ... +175
175
-55 ... +175
V/ns
W
° C
° C
° C
Ultra-low On Resistance
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
175 ° C Operating Temperature
Advantages
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 seconds
Mounting torque (TO-220)
TO-220
TO-252
300 ° C
260 ° C
1.13 / 10 Nm/lb.in.
3 g
0.35 g
Easy to mount
Space savings
High power density
Applications
Automotive
- Motor Drives
- 42V Power Bus
- ABS Systems
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
BV DSS V GS = 0 V, I D = 250 μ A
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
85 V
DC/DC Converters and Off-line UPS
Primary Switch for 24V and 48V
Systems
High Current Switching
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 25 μ A
V GS = ± 20 V, V DS = 0 V
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
2.0
4.0
± 100
1
100
V
nA
μ A
μ A
Applications
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25 , Notes 1, 2
23
m Ω
DS99638 (11/06)
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP50N20PM | MOSFET N-CH 200V 20A TO-220 |
| IXTP64N055T | MOSFET N-CH 55V 64A TO-220 |
| IXTP70N085T | MOSFET N-CH 85V 70A TO-220 |
| IXTP7N60PM | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 |
| IXTP7N60P | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP50N20P | 功能描述:MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP50N20PM | 功能描述:MOSFET 20 Amps 200V 0.060 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP50N25T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP52P10P | 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP54N30T | 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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