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参数资料
| 型号： | IXTP50N085T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 50A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1460pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTP50N085T
IXTY50N085T
46
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
46
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
44
42
R G = 18 Ω
V GS = 10V
44
42
R G = 18 Ω
V GS = 10V
40
V DS = 42.5V
40
V DS = 42.5V
T J = 25oC
38
36
34
32
30
38
36
34
32
30
28
26
I D = 30A
28
26
24
22
20
I D = 10A
24
22
20
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistiv e Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
90
t r
t d(on) - - - -
32
34
54
80
T J = 125oC, V GS = 10V
30
33
t f
t d(off) - - - -
I D = 10A
50
70
V DS = 42.5V
28
R G = 18 Ω , V GS = 10V
60
26
32
V DS = 42.5V
46
I D = 30A
50
24
31
42
I D = 10A
40
22
30
38
30
20
20
18
29
I D = 30A
34
10
16
28
30
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistiv e Turn-off
Switching Times v s. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times v s. Gate Resistance
34
56
90
150
t f
t d(off) - - - -
85
t f
t d(off) - - - -
140
33
32
R G = 18 Ω , V GS = 10V
V DS = 42.5V
52
48
80
75
70
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 42.5V
130
120
110
T J = 125oC
65
100
31
30
29
T J = 25oC
44
40
36
60
55
50
45
40
35
I D = 10A
I D = 30A
90
80
70
60
50
40
30
30
28
32
25
20
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_50N085T (1V) 7-13-06.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP50N20PM | MOSFET N-CH 200V 20A TO-220 |
| IXTP64N055T | MOSFET N-CH 55V 64A TO-220 |
| IXTP70N085T | MOSFET N-CH 85V 70A TO-220 |
| IXTP7N60PM | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 |
| IXTP7N60P | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP50N20P | 功能描述:MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP50N20PM | 功能描述:MOSFET 20 Amps 200V 0.060 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP50N25T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP52P10P | 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP54N30T | 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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