- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录464 > IXTP50N085T (IXYS)MOSFET N-CH 85V 50A TO-220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTP50N085T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 85V 50A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 85V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 23 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 34nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1460pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTP50N085T
IXTY50N085T
55
Fig. 7. Input Admittance
40
Fig. 8. Transconductance
50
45
40
35
30
25
20
35
30
25
20
15
T J = - 40oC
25oC
150oC
15
10
5
0
T J = 150oC
25oC
-40oC
10
5
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
200
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
180
160
140
120
100
80
9
8
7
6
5
4
V DS = 43V
I D = 10A
I G = 1mA
60
40
20
0
T J = 150oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
0
5
10
15
20
25
30
35
10,000
1,000
100
10
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
C iss
C oss
C rss
10.00
1.00
0.10
0.01
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse W idth - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP50N20PM | MOSFET N-CH 200V 20A TO-220 |
| IXTP64N055T | MOSFET N-CH 55V 64A TO-220 |
| IXTP70N085T | MOSFET N-CH 85V 70A TO-220 |
| IXTP7N60PM | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220 |
| IXTP7N60P | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP50N20P | 功能描述:MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP50N20PM | 功能描述:MOSFET 20 Amps 200V 0.060 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP50N25T | 功能描述:MOSFET 50 Amps 250V 50 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP52P10P | 功能描述:MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP54N30T | 功能描述:MOSFET 54 Amps 300V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。