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参数资料
| 型号： | IXTP2R4N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.75 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 240pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTP 2R4N50P
IXTY 2R4N50P
2.4
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
4.5
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
2
V GS = 10V
7V
4
V GS = 10V
8V
3.5
1.6
3
7V
2.5
1.2
2
0.8
6V
1.5
6V
1
0.4
0
5V
0.5
0
5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
2.4
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125 o C
3.4
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
2
1.6
1.2
V GS = 10V
7V
6V
3.1
2.8
2.5
2.2
1.9
V GS = 10V
I D = 2.4A
1.6
0.8
1.3
I D = 1.2A
0.4
0
5V
1
0.7
0.4
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.1
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
0.5 I D25 Value vs. I D
2.7
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Tem perature
2.8
2.5
2.2
V GS = 10V
T J = 125 o C
2.4
2.1
1.8
1.5
1.9
1.2
1.6
1.3
0.9
0.6
1
0.7
T J = 25 o C
0.3
0.0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2006 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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