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参数资料
| 型号： | IXTP1R6N50P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | PolarHV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.9nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 140pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 43W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTP 1R6N50P
IXTY 1R6N50P
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
Fig. 7. Input Adm ittance
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
Fig. 8. Transconductance
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
T J = 125 o C
25 o C
-40 o C
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
T J = -40 o C
25 o C
125 o C
4
4.5
5
5.5
6
6.5
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
5.0
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
4.5
4.0
3.5
3.0
9
8
7
6
V DS = 250V
I D = 0.8A
I G = 10mA
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
5
4
3
2
1
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
1000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
f = 1MHz
10
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 150 o C
100
10
1
C iss
C oss
C rss
1
0.1
R DS(on) Limit
DC
T C = 25 o C
25μs
100μs
1ms
10ms
0
5
10
15
20
25
30
35
40
10
100
1000
V D S - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V D S - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP200N085T | MOSFET N-CH 85V 200A TO-220 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IXTP200N075T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 75V 4.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP200N085T | 功能描述:MOSFET MOSFET Id200 BVdass85 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP-200N085T | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
| IXTP220N04T2 | 功能描述:MOSFET 220 Amps 40V 0.0035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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