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参数资料
| 型号： | IXTP220N075T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 220A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 165nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7700pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA220N075T
IXTP220N075T
220
Fig. 7. Input Admittance
180
Fig. 8. Transconductance
200
180
160
140
120
100
160
140
120
100
80
T J = - 40oC
25oC
150oC
80
60
40
20
0
T J = 150oC
25oC
- 40oC
60
40
20
0
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
270
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
240
210
180
9
8
7
6
V DS = 37.5V
I D = 25A
I G = 10mA
150
T J = 150oC
5
120
4
90
60
30
0
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
10,000
1,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
C iss
Coss
1.00
0.10
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
100
f = 1 MHz
Crss
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| IXTP22N20MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP22N20MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP230N075T2 | 功能描述:MOSFET 230 Amps 75V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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