- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录464 > IXTP44N10T (IXYS)MOSFET N-CH 100V 44A TO-220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTP44N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 44A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 25µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 33nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1262pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTP44N10T
IXTY44N10T
75
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
75
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
70
65
R G = 18 ?
V GS = 10V
70
65
R G = 18 ?
V GS = 10V
60
V DS = 50V
60
V DS = 50V
T J = 25oC
55
50
45
40
55
50
45
40
35
I D = 30A
35
30
25
20
I D = 10A
30
25
20
T J = 125oC
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
130
40
35
50
120
110
100
90
80
70
60
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 30A
I D = 10A
38
36
34
32
30
28
26
34
33
32
31
30
29
t f t d(off) - - - -
R G = 18 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
I D = 10A
47
44
41
38
35
32
50
24
I D = 30A
40
30
20
22
20
18
28
27
26
29
26
23
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
33
50
100
110
32
31
t f t d(off) - - - -
R G = 18 ? , V GS = 10V
V DS = 50V
T J = 125oC
46
42
90
80
70
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 10V
V DS = 50V
100
90
80
30
38
60
70
29
28
34
30
50
40
I D = 10A
60
50
27
26
T J = 25oC
26
22
30
20
I D = 30A
40
30
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
I D - Amperes
? 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_44N10T (1V) 9-15-06-A.xls
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTP4N80P | MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220 |
| IXTP50N085T | MOSFET N-CH 85V 50A TO-220 |
| IXTP50N20PM | MOSFET N-CH 200V 20A TO-220 |
| IXTP64N055T | MOSFET N-CH 55V 64A TO-220 |
| IXTP70N085T | MOSFET N-CH 85V 70A TO-220 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP44N15T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 150V 45 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP44N25T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 250V 72 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP44N30T | 功能描述:MOSFET 44 Amps 300V 85 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP44P15T | 功能描述:MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP450P2 | 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。