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参数资料
| 型号： | IXTP80N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3040pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
TrenchMV TM
Power MOSFET
IXTA80N10T
IXTP80N10T
V DSS
I D25
R DS(on)
=
=
≤
100V
80A
14m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-263 AA (IXTA)
Fast Intrinsic Diode
G
S
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
D (Tab)
V DSS
V DGR
V GSS
V GSM
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C, R GS = 1M Ω
Continuous
Transient
100
100
± 20
± 30
V
V
V
V
TO-220AB (IXTP)
I D25
I DM
I A
E AS
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
80
220
25
400
A
A
A
mJ
G
DS
D (Tab)
P D
dV/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 175°C
230
10
W
V/ns
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T J
T JM
T stg
-55 ... +175
175
-55 ... +175
° C
° C
° C
Features
International Standard Packages
T L
T SOLD
M d
Weight
1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (TO-220)
TO-263
TO-220
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
175°C Operating Temperature
Avalanche Rated
High Current Handling Capability
Fast Intrinsic Diode
Low R DS(on)
Advantages
Easy to Mount
Space Savings
High Power Density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Applications
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
105
V
Automotive
- Motor Drives
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 100 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = 105V, V GS = 0V
T J = 150 ° C
2.5
5.0
± 200
5
150
V
nA
μ A
μ A
- DC/DC Conversion
- 42V Power Bus
- ABS Systems
DC/DC Converters and Off-Line UPS
Primary Switch for 24V and 48V
Systems
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 25A, Note 1 & 2
14 m Ω
High Current Switching Applications
Distributed Power Architechtures
and VRMs
Electronic Valve Train Systems
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99648A(11/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3711ZSPBF | MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK |
| SI4737-C40-GMR | IC RX AM/FM/WB RDS/RBDS 20UQFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTP86N20T | 功能描述:MOSFET 86 Amps 200V 29 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP88N085T | 功能描述:MOSFET 88 Amps 85V 11.0 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTP8N45MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP8N45MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220(5) |
| IXTP8N50MA | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220(5) |
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