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参数资料
| 型号： | IXTP80N10T |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 |
| 产品目录绘图： | TO-220, TO-251 |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | TrenchMV™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 100µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3040pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 230W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
IXTA80N10T
IXTP80N10T
80
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
280
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
70
60
V GS = 10V
9V
8V
240
200
V GS = 10V
9V
50
160
40
7V
8V
120
30
20
80
7V
10
6V
40
0
0
6V
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
80
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
V GS = 10V
2.8
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 40A Value vs.
Junction Temperature
70
9V
8V
2.4
V GS = 10V
60
50
2.0
I D = 80A
40
30
20
10
0
7V
6V
5V
1.6
1.2
0.8
0.4
I D = 40A
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
4.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 40A Value
vs. Drain Current
90
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
4.2
3.8
3.4
3.0
V GS = 10V
15V - - - -
T J = 175oC
80
70
60
50
2.6
2.2
1.8
1.4
40
30
20
1.0
0.6
T J = 25oC
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
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PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTP8N45MB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220(5) |
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