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参数资料
| 型号： | IXTQ23N60Q |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 23A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 23A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 320 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 90nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTQ 23N60Q
25
Fig. 1. Output Characte ristics
@ 25 Deg. C
V GS = 10V
7V
50
Fig. 2. Extende d Output Characte ris tics
@ 25 deg. C
V GS = 10V
20
15
10
5
6V
5V
40
30
20
10
7V
6V
5V
0
0
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
25
30
V D S - Volts
Fig. 3. Output Characteris tics
@ 125 Deg. C
V D S - Volts
Fig. 4. R DS(on) Norm alized to I D25 Value vs .
Junction Tem perature
25
20
V GS = 10V
7V
6V
3.1
2.8
2.5
V GS = 10V
2.2
15
1.9
I D = 23A
10
5V
1.6
I D = 11.5A
1.3
5
0
1
0.7
0.4
0
5
10
15
20
25
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.1
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to I D25
Value vs . I D
25
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Curre nt vs. Case
Tem pe rature
2.8
V GS = 10V
20
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
T J = 125oC
15
10
1
0.7
T J = 25oC
5
0
0
10
20
30
40
50
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2003 IXYS All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTQ24N55Q | MOSFET N-CH 550V 24A TO-3P |
| IXTQ250N075T | MOSFET N-CH 75V 250A TO-3P |
| IXTQ28N15P | MOSFET N-CH TO-3P |
| IXTQ40N50Q | MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P |
| IXTQ42N25P | MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTQ240N055T | 功能描述:MOSFET 240 Amps 55V 3.3 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ24N55Q | 功能描述:MOSFET 24 Amps 550V 0.270 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ250N075T | 功能描述:MOSFET 250 Amps 75V 3.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ26N50P | 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTQ26N60P | 功能描述:MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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