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参数资料
型号： IXTQ28N15P
厂商： IXYS
文件页数： 11/20页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH TO-3P
标准包装： 30
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3
供应商设备封装： TO-3P
包装： 管件
HTGB (Tables 2A .. 2C)
TABLE 2A: MOSFET/IGBT single device
Date Code
# Part Number or Voltage
Test # [V]
1 IXBH42N170 TK0734 16
2 IXDN75N120 1606 16
3 IXEH25N120D1 1757 16
4 IXEH40N120D1 1482 16
5 IXER35N120D1 1950 16
6 IXFA7N80P K533 16
7 IXFB100N50P SP0737 16
8 IXFB44N100P SP0721 16
9 IXFH12N120P TJ1041E 16
10 IXFH15N100P SK0636 16
11 IXFH20N100P SP0716 16
12 IXFH26N60Q SK0604 16
13 IXFK21N100Q SP0737 16
14 IXFK44N55Q SP0737 16
15 IXFL100N50P SP0549 16
16 IXFL60N80P SP0605 16
17 IXFL82N60P SP0550 16
18 IXFP12N50PM K550 16
19 IXFQ14N80P SK0709 16
20 IXFR12N100Q TP0703 16
21 IXFR14N100Q2 SP0732 16
22 IXFR26N100P TJ1159E 16
23 IXFX73N30Q SK0613 16
24 IXFX90N30 SK0613 16
25 IXGA42N30C3 K732 16
26 IXGA60N30C3 K732 16
27 IXGH100N30C3 SK0644 16
28 IXGH120N30C3 SK0638 16
29 IXGH1889 TP0736 16
30 IXGH20N170P K0716E1 20
31 IXGH28N60B3 SK0608 16
32 IXGH30N120B3 TP0606 16
33 IXGH48N60B3 SK0607 16
34 IXGH64N60B3 SK0608 16
35 IXGH72N60B3 SK0608 16
36 IXGH85N30C3 SK0644 16
37 IXGN200N60A2 SP0723 16
38 IXGP120N33TBM-A K723 16
39 IXGP24N120C3 K0652 16
40 IXGP50N33TC K0652 16
41 IXGP70N33TBM-A K726 16
42 IXGP90N33TBM-A K06251 16
43 IXGQ120N30TCD1 SK0631 16
44 IXGQ120N33TCD1 SK0639 16
45 IXGQ150N30TCD1 SK0631 16
46 IXGQ150N33TCD1 SK0639 16
47 IXGQ160N30PB SK0601 16
48 IXGQ160N30PB SK0601 16
49 IXGQ160N30PB SK0601 16
50 IXGQ180N30TCD1 SK0632 16
51 IXGQ180N33TB SK0711 16
52 IXGQ180N33TC SK0649 16
53 IXGQ180N33TCD1 SK0639 16
54 IXGQ200N30PB SK0631 16
55 IXGQ240N30PB SK0631 16
56 IXGQ70N33TB SK0650 16
57 IXGQ85N33PCD1 SK0613 16
58 IXGQ85N33PCD1 SK0638 16
59 IXGQ90N27PB SK0611 16
60 IXGQ90N27PB SK0640 16
Temp.
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Remark
IXYS Semiconductor GmbH
11
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PDF描述
IXTQ40N50Q MOSFET N-CH 500V 40A TO-3P
IXTQ42N25P MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P
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IXTQ470P2 MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTQ30N50L 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60L2 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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