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参数资料
型号： IXTQ28N15P
厂商： IXYS
文件页数： 18/20页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH TO-3P
标准包装： 30
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3
供应商设备封装： TO-3P
包装： 管件
TABLE 4E: FRED
Date Code
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Number
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Sample
Failures
Device Cycles
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Cycles
Size
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20
21
22
23
24
25
DH60-18A
DHG10I600PM
DHH55-36N1F
DPG15I400PM
DPG60C300QB
DSEE29-06CC
DSEI120-12A
DSEI120-12A
DSEI2x121-02A
DSEI2x31-06C
DSEI60-06A
DSEP15-06A
DSEP15-12CR
DSEP25-16AR
DSEP2x25-12C
DSEP30-06BR
DSEP30-06CR
DSEP8-03AS
DSEP8-12A
DSEP8-12A
DSEP9-06CR
MEE250-12I
MEE300-06DA
MEK300-06
MEO450-12DA
1568
1685
1604
1770
1909
1771
1538
1756
2042
1563
1804
2020
1514
1712
1468
1700
2015
1738
1438
1956
1437
1887
2064
1737
2000
-40
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-40
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100
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40
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10
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10
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10
10
10
10
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1000
2000
4000
2000
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1000
1000
200
200
1000
1000
1000
1000
500
1000
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TABLE 4F: Schottky Diode
Date Code
Low
High
Number
#
Part Number
or
Temp.
Temp.
of
Sample
Failures
Device Cycles
Remark
Test #
[°C]
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Cycles
Size
1
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11
12
13
14
15
16
17
18
19
DSA120C150QB
DSA30C100PN
DSA90C200HB
DSB15IM45IB
DSS16-0045A
DSS20-01AC
DSS2x160-01A
DSS2x61-01A
DSS31-0045A
DSS31-0045A
DSS31-0045A SN
DSS6-015AS
DSSK30-01A
DSSK38-0025B
DSSK40-0015B
DSSK60-0045B
DSSK60-015AR
DSSK60-015AR
DSSK80-006B
1907
1906
1674
1622
2018
1709
1856
1985
1596
1596
1492
1723
1807
1982
1557
1457
1591
1573
1575
-55
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-40
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100
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100
50
100
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50
1000
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500
1000
50
50
50
50
200
50
50
20
20
20
20
20
20
10
10
80
80
77
77
20
20
20
20
40
20
20
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
2000
2000
2000
2000
1000
2000
1000
500
80000
80000
38500
77000
1000
1000
1000
1000
8000
1000
1000
IXYS Semiconductor GmbH
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PDF描述
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参数描述
IXTQ30N50L 功能描述:MOSFET 30 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N50P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 500 V 0.2 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60L2 功能描述:MOSFET 30 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ30N60P 功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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