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参数资料
型号： IXTQ44N50P
厂商： IXYS
文件页数： 5/5页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 500V 44A TO-3P
标准包装： 30
系列： PolarHV™
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 500V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 44A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 140 毫欧 @ 22A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 98nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 5440pF @ 25V
功率 - 最大： 650W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-3P-3，SC-65-3
供应商设备封装： TO-3P
包装： 管件
IXTQ 44N50P
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
1.00
0.10
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse W idth - Seconds
? 2006 IXYS All rights reserved
IXYS REF: T_44N50P (8J) 03-21-06-B.xls
相关PDF资料
PDF描述
IXTQ460P2 MOSFET N-CH 500V 24A TO3P
IXTQ470P2 MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
IXTQ480P2 MOSFET N-CH 500V 52A TO3P
IXTQ50N20P MOSFET N-CH 200V 50A TO-3P
IXTQ50N25T MOSFET N-CH 250V 50A TO-3P
相关代理商/技术参数
参数描述
IXTQ44P15T 功能描述:MOSFET -44 Amps -150V 0.065 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ450P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ460P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ470P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTQ480P2 功能描述:MOSFET PolarP2 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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