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参数资料
| 型号： | IXTQ52P10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 52A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 52A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2845pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTA52P10P IXTH52P10P
IXTP52P10P IXTQ52P10P
-55
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
-130
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
V GS = -10V
- 9V
- 8V
- 7V
- 6V
-110
-90
-70
-50
-30
V GS = -10V
- 9V
- 8V
- 7V
- 6V
-10
-5
- 5V
-10
- 5V
0
0.0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
-2.8
0
-3
-6
-9
-12
-15
-18
-21
-24
-27
-30
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = - 26A vs.
Junction Temperature
-55
-50
V GS = -10V
- 9V
2.2
2.0
V GS = -10V
-45
-40
- 8V
1.8
-35
-30
1.6
1.4
I D = - 52A
I D = - 26A
-25
-20
-15
-10
-5
0
- 7V
- 6V
- 5V
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2.6
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = - 26A vs.
Drain Current
-55
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
V GS = -10V
T J = 125oC
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
-10
-5
0
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-80
-90
-100
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
T J - Degrees Centigrade
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