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参数资料
| 型号： | IXTQ52P10P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 52A TO-3P |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 52A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2845pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
IXTA52P10P IXTH52P10P
IXTP52P10P IXTQ52P10P
-70
Fig. 7. Input Admittance
32
Fig. 8. Transconductance
T J = - 40oC
-60
T J = - 40oC
28
-50
25oC
125oC
24
25oC
20
-40
-30
16
12
125oC
-20
-10
0
8
4
0
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
-6.5
-7.0
-7.5
-8.0
0
-10
-20
-30
-40
-50
-60
-70
-160
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
-10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
-140
-120
-100
-80
-60
T J = 125oC
-9
-8
-7
-6
-5
-4
-3
V DS = - 50V
I D = - 26A
I G = -1mA
-40
-20
0
T J = 25oC
-2
-1
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
10,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
- 1,000
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
f = 1 MHz
R DS(on) Limit @ V GS = -15V
1,000
Ciss
Coss
- 100
10ms
1ms
100μs
25μs
Crss
- 10
DC, 100ms
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
100
- 1
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
- 10
- 100
V DS - Volts
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
V DS - Volts
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参数描述 |
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