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参数资料
| 型号： | IXTR32P60P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 600V 18A ISOPLUS247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarP™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 385 毫欧 @ 16A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 196nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 11100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | ISOPLUS247? |
| 供应商设备封装： | ISOPLUS247? |
| 包装： | 管件 |
IXTR32P60P
-45
Fig. 7. Input Admittance
60
Fig. 8. Transconductance
-40
-35
-30
-25
55
50
45
40
35
T J = - 40oC
25oC
-20
-15
-10
T J = 125oC
25oC
- 40oC
30
25
20
15
125oC
10
-5
0
5
0
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
-5.5
-6.0
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-45
-50
-100
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
-10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-9
-8
-7
-6
-5
-4
V DS = - 300V
I D = -16A
I G = -1mA
-30
-20
-10
0
T J = 125oC
T J = 25oC
-3
-2
-1
0
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
-2.8
-3.2
-3.6
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
100,000
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
- 100.0
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area
f = 1 MHz
R DS(on) Limit
25μs
100μs
10,000
Ciss
- 10.0
1ms
1,000
Coss
10ms
100
Crss
- 1.0
T J = 150oC
T C = 25oC
Single Pulse
DC, 100ms
10
- 0.1
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
- 10
- 100
- 1000
V DS - Volts
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
V DS - Volts
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTR36P15P | MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS247 |
| IXTR48P20P | MOSFET P-CH 200V 30A ISOPLUS247 |
| IXTR62N15P | MOSFET N-CH ISOPLUS-247 |
| IXTT100N25P | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 |
| IXTT110N10P | MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTR36P15P | 功能描述:MOSFET -22.0 Amps -150V 0.120 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR40P50P | 功能描述:MOSFET -22.0 Amps -500V 0.260 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR48P20P | 功能描述:MOSFET -30.0 Amps -200V 0.093 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR62N15P | 功能描述:MOSFET 62 Amps 150V 0.045 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTR90P10P | 功能描述:MOSFET -57.0 Amps -100V 0.270 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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