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参数资料
| 型号： | IXTT50P10 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 100V 50A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 50A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 25A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 140nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4350pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTH50P10
IXTT50P10
-50
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
-140
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
V GS = -10V
- 9V
- 8V
- 7V
- 6V
-120
-100
-80
-60
-40
V GS = -10V
- 9V
- 8V
- 7V
-10
-5
0
- 5V
-20
0
- 6V
- 5V
0.0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
0
-2
-4
-6
-8
-10
-12
-14
-16
-18
-20
V D
S
- Volts
V D
S
- Volts
-50
Fig. 3. Output Characteristics
@ 125oC
2.0
Fig. 4. R DS(on) Normalized to 0.5 I D25 Value
vs. Junction Temperature
-45
-40
-35
V GS = -10V
- 9V
- 8V
1.8
1.6
V GS = - 10V
-30
-25
-20
- 7V
- 6V
1.4
1.2
I D = - 50A
I D = - 25A
-15
-10
1.0
-5
0
- 5V
0.8
0.6
0.0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V D
S
- Volts
T J - Degrees Centigrade
2.4
Fig. 5. R DS(on) Normalized to 0.5 I D25
Value vs. I D
-55
Fig. 6. Drain Current vs. Case
Temperature
2.2
2.0
1.8
V GS = - 10V
T J = 125oC
-50
-45
-40
-35
-30
1.6
1.4
-25
-20
1.2
1.0
0.8
T J = 25oC
-15
-10
-5
0
0
-25
-50 -75
I D - Amperes
-100
-125
-50
-25
0 25 50 75 100
T C - Degrees Centigrade
125
150
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT60N20L2 | MOSFET N-CH 200V 60A TO268 |
| IXTT64N25P | MOSFET N-CH 250V 64A TO-268 |
| IXTT69N30P | MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 |
| IXTT74N20P | MOSFET N-CH 200V 74A TO-268 |
| IXTT75N10L2 | MOSFET N-CH 100V 75A TO268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT52N30P | 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT60N10 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 100 V 0.033 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT60N20L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT64N25P | 功能描述:MOSFET 64 Amps 250V 0.049 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT68P20T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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