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参数资料
型号： IXTT50P10
厂商： IXYS
文件页数： 4/4页
文件大小： 0K
描述： MOSFET P-CH 100V 50A TO-268
标准包装： 30
FET 型： MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点： 标准
漏极至源极电压(Vdss)： 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 50A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 55 毫欧 @ 25A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 140nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 4350pF @ 25V
功率 - 最大： 300W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA
供应商设备封装： TO-268
包装： 管件
IXTH50P10
IXTT50P10
-150
Fig. 7. Input Admittance
40
Fig. 8. Transconductance
-125
-100
-75
-50
T J = - 40oC
25oC
125oC
35
30
25
20
15
T J = - 40oC
25oC
125oC
10
-25
0
5
0
-4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
0
-20
-40
-60
-80
-100
V G S - Volts
I
D
- Amperes
-150
Fig. 9. Source Current vs. Source-To-Drain
Voltage
-10
Fig. 10. Gate Charge
-125
-100
-75
-9
-8
-7
-6
-5
-4
V DS = - 50V
I D = - 25A
I G = -1mA
-50
T J = 125oC
T J = 125oC
-3
-2
-25
-1
0
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
0
20
40
60
80
100
120
140
V S D - Volts
Q
G
- nanoCoulombs
10000
1000
100
Fig. 11. Capacitance
C rss
f = 1MHz
C iss
C oss
1.00
0.10
0.01
Fig. 12. Maximum Transient Thermal
Impedance
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
1
10
100
1000
V D
S
- Volts
Pulse Width - milliseconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS REF: T_50P10(7B) 6-23-08-A
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PDF描述
IXTT60N20L2 MOSFET N-CH 200V 60A TO268
IXTT64N25P MOSFET N-CH 250V 64A TO-268
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相关代理商/技术参数
参数描述
IXTT52N30P 功能描述:MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT60N10 功能描述:MOSFET 60 Amps 100 V 0.033 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT60N20L2 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 60A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT64N25P 功能描述:MOSFET 64 Amps 250V 0.049 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTT68P20T 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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