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参数资料
| 型号： | IXTT75N10L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 75A TO268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 215nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
Advance Technical Information
LinearL2 TM Power
MOSFET w/extended
FBSOA
IXTH75N10L2
IXTT75N10L2
D
O D
V DSS
I D25
R DS(on)
= 100V
= 75A
≤ 21m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Guaranteed FBSOA
Avalanche Rated
G
O
R Gi
w w
O
TO-247 (IXTH)
S
Symbol
V DSS
V DGR
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
Maximum Ratings
100
100
V
V
G
D
S
D (Tab)
V GSS
Continuous
± 20
V
V GSM
I D25
Transient
T C = 25 ° C
± 30
75
V
A
TO-268 (IXTT)
I DM
I A
E AS
P D
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
225
75
2.5
400
A
A
J
W
G
S
D (Tab)
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6mm (0.063in) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
-55 to +150
+150
-55 to +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
M d
Weight
Mounting Torque (TO-247)
TO-247
TO-268
1.13/10
6.0
4.0
Nm/lb.in.
g
g
Features
Designed for Linear Operation
International Standard Packages
Avalanche Rated
Integrated Gate Resistor for Easy
Paralleling
Guaranteed FBSOA at 75 ° C
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Advantages
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20V, V DS = 0V
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
100
2.5
4.5
± 100
5
50
V
V
nA
μ A
μ A
Easy to Mount
Space Savings
High Power Density
Applications
R DS(on)
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
21 m Ω
Solid State Circuit Breakers
Soft Start Controls
Linear Amplifiers
Programmable Loads
Current Regulators
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS100200(9/09)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT75N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-268 |
| IXTT88N30P | MOSFET N-CH 300V 88A TO-268 |
| IXTT96N15P | MOSFET N-CH 150V 96A TO-268 |
| IXTT96N20P | MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 |
| IXTU01N100D | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT75N15 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
| IXTT75N20L2 | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT80N20L | 功能描述:MOSFET Standard Linear Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT82N25P | 功能描述:MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT88N15 | 功能描述:MOSFET 88 Amps 150 V 0.022 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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