- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录465 > IXTT88N30P (IXYS)MOSFET N-CH 300V 88A TO-268 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTT88N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 88A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
PolarHT TM
Power MOSFET
IXTH 88N30P
IXTK 88N30P
IXTQ 88N30P
IXTT 88N30P
V DSS
I D25
R DS(on)
= 300 V
= 88 A
≤ 40 m ?
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
TO-247 (IXTH)
Symbol
V DSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
Maximum Ratings
300 V
G
D
S
D (TAB)
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
300
V
V GS
V GSM
I D25
I D(RMS)
I DM
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
External lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 20
± 30
88
75
220
V
V
A
A
A
TO-264 (IXTK)
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS
60
60
2.0
10
A
mJ
J
V/ns
G
D
S
TO-3P (IXTQ)
D (TAB)
T J ≤ 150 ° C, R G = 4 ?
P D
T C = 25 ° C
600
W
S
T J
T JM
T stg
T L
T SOLD
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
° C
° C
° C
° C
° C
G
D
TO-268 (IXTT)
(TAB)
M d
Mounting torque
1.13/10 Nm/lb.in.
Weight
TO-247
TO-264
TO-3P & TO-268
6.0
10
5.5
g
g
g
G
S
D (TAB)
G = Gate
D = Drain
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
S = Source
Features
TAB = Drain
BV DSS
V GS(th)
I GSS
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 250 μ A
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
300
2.5
5.0
± 100
V
V
nA
l
l
l
International standard package
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
Easy to mount
I DSS
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
100
1
μ A
mA
Advantages
l
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
40
m ?
l
l
Space savings
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99129E(12/05)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT96N15P | MOSFET N-CH 150V 96A TO-268 |
| IXTT96N20P | MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 |
| IXTU01N100D | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 |
| IXTU01N100 | MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK |
| IXTU01N80 | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT8P50 | 功能描述:MOSFET -8 Amps -500V 1.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT90P10P | 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -100V 0.250 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT96N15P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT96N20P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTU01N100 | 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。