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参数资料
| 型号： | IXTT88N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 88A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 88A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 44A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 600W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTH 88N30P IXTK 88N30P
IXTQ 88N30P IXTT 88N30P
280
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
Fig. 10. Gate Charge
240
200
160
120
9
8
7
6
5
4
V DS = 150V
I D = 44A
I G = 10mA
80
40
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - Volts
1.2
1.4
1.6
0
20
40
60 80 100 120
Q G - nanoCoulombs
140
160
180
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ard-Bias
Safe Operating Area
T J = 150oC
C iss
100
R DS(on) Limit
100μs
T C = 25oC
25μs
1000
C oss
10
DC
1ms
10ms
100
f = 1MHz
C rss
1
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
10
100
V D S - Volts
1000
Fig. 13. Maximum Transient Thermal Resistance
1.00
0.10
0.01
1
10
100
1000
Pulse Width - milliseconds
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT96N15P | MOSFET N-CH 150V 96A TO-268 |
| IXTT96N20P | MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 |
| IXTU01N100D | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 |
| IXTU01N100 | MOSFET N-CH 1KV .1A I-PAK |
| IXTU01N80 | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT8P50 | 功能描述:MOSFET -8 Amps -500V 1.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT90P10P | 功能描述:MOSFET -90.0 Amps -100V 0.250 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT96N15P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT96N20P | 功能描述:MOSFET 96 Amps 200V 0.024 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTU01N100 | 功能描述:MOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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