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参数资料
| 型号： | IXTT75N10L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 75A TO268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 215nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 8100pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 400W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTH75N10L2
IXTT75N10L2
80
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 20V
280
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 20V
70
60
50
14V
12V
10V
8V
240
200
160
14V
12V
10V
8V
40
30
20
6V
120
80
7V
6V
10
0
4V
40
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0
5
10
15
20
25
80
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 125oC
3.0
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 37.5A Value vs.
Junction Temperature
70
V GS = 20V
14V
12V
2.6
V GS = 10V
60
10V
8V
2.2
I D = 75A
50
1.8
40
6V
I D = 37.5A
1.4
30
20
1.0
10
0
4V
0.6
0.2
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1.8
2.1
2.4
2.7
3.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
4.5
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 37.5A Value vs.
Drain Current
80
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
V GS = 10V
T J = 125oC
70
60
50
40
30
1.5
1.0
0.5
T J = 25oC
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I D - Amperes
? 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT75N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-268 |
| IXTT88N30P | MOSFET N-CH 300V 88A TO-268 |
| IXTT96N15P | MOSFET N-CH 150V 96A TO-268 |
| IXTT96N20P | MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 |
| IXTU01N100D | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-251 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT75N15 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
| IXTT75N20L2 | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT80N20L | 功能描述:MOSFET Standard Linear Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT82N25P | 功能描述:MOSFET 82 Amps 250V 0.035 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT88N15 | 功能描述:MOSFET 88 Amps 150 V 0.022 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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