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参数资料
| 型号： | IXTT60N20L2 |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 60A TO268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Linear L2™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 60A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 45 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 255nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 10500pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 540W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTT60N20L2 IXTQ60N20L2
IXTH60N20L2
140
Fig. 7. Input Admittance
100
Fig. 8. Transconductance
120
100
80
90
80
70
60
T J = - 40oC
25oC
125oC
60
40
T J = 125oC
25oC
- 40oC
50
40
30
20
20
10
0
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
0
20
40
60
80
100
120
140
240
V GS - Volts
Fig. 9. Forward Voltage Drop of
Intrinsic Diode
16
V DS = 100V
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
200
160
120
14
12
10
8
I D = 30A
I G = 10mA
6
80
40
0
T J = 125oC
T J = 25oC
4
2
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
0
50
100
150
200
250
300
350
400
100.0
10.0
1.0
0.1
f = 1 MHz
V SD - Volts
Fig. 11. Capacitance
Ciss
Coss
Crss
1.000
0.100
0.010
0.001
Q G - NanoCoulombs
Fig. 12. Maximum Transient Thermal Impedance
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V DS - Volts
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
Pulse Width - Seconds
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT64N25P | MOSFET N-CH 250V 64A TO-268 |
| IXTT69N30P | MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 |
| IXTT74N20P | MOSFET N-CH 200V 74A TO-268 |
| IXTT75N10L2 | MOSFET N-CH 100V 75A TO268 |
| IXTT75N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT64N25P | 功能描述:MOSFET 64 Amps 250V 0.049 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT68P20T | 功能描述:MOSFET TrenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT69N30P | 功能描述:MOSFET 69 Amps 300V 0.049 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT6N120 | 功能描述:MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT6N150 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode |
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