- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录465 > IXTT69N30P (IXYS)MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IXTT69N30P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 300V 69A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 300V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 69A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 49 毫欧 @ 500mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 180nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4960pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 500W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTQ 69N30P
IXTT 69N30P
100
90
80
Fig. 7. Input Adm ittance
100
90
80
Fig. 8. Transconductance
70
60
50
40
70
60
50
40
T J = -40oC
25oC
125oC
30
20
10
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
20
40
60
80
100
120
140
200
V G S - Volts
Fig. 9. Source Current vs.
Source-To-Drain Voltage
10
I D - Amperes
Fig. 10. Gate Charge
180
160
140
120
100
80
9
8
7
6
5
4
V DS = 150V
I D = 34.5A
I G = 10mA
60
40
20
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10000
V S D - Volts
Fig. 11. Capacitance
1000
Q G - nanoCoulombs
Fig. 12. Forw ard-Bias Safe
Operating Area
f = 1MHz
C iss
100
R DS (on) Limit
1ms
25μs
T C = 25oC
1000
100
C oss
C rss
10
1
DC
10ms
0
5
10
15 20 25
V D S - Volts
30
35
40
10
100
V D S - Volts
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT74N20P | MOSFET N-CH 200V 74A TO-268 |
| IXTT75N10L2 | MOSFET N-CH 100V 75A TO268 |
| IXTT75N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-268 |
| IXTT88N30P | MOSFET N-CH 300V 88A TO-268 |
| IXTT96N15P | MOSFET N-CH 150V 96A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT6N120 | 功能描述:MOSFET 6 Amps 1200V 2.700 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT6N150 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode |
| IXTT72N20 | 功能描述:MOSFET 72 Amps 200 V 0.033 W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT74N20P | 功能描述:MOSFET 74 Amps 200V 0.034 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT75N10 | 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。