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参数资料
| 型号： | IXTT74N20P |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 74A TO-268 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PolarHT™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 74A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 34 毫欧 @ 37A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 107nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3300pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 供应商设备封装： | TO-268 |
| 包装： | 管件 |
IXTQ 74N20P
IXTT 74N20P
80
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25 o C
200
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25 o C
70
60
50
40
30
20
10
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
0
0.5
1
1.5 2
V D S - Volts
2.5
3
3.5
0
2
4
6
8 10 12
V D S - Volts
14
16
18
20
80
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150 o C
3
Fig. 4. R DS(on ) Norm alized to 0.5 I D25
Value vs. Junction Tem perature
70
60
50
V GS = 10V
9V
8V
7V
2.6
2.2
V GS = 10V
40
30
6V
1.8
1.4
I D = 74A
I D = 37A
20
10
0
5V
1
0.6
0
1
2
3
4
5
6
7
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V D S - Volts
Fig. 5. R DS(on) Norm alized to
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
0.5 I D25 Value vs. I D
T J = 175oC
V GS = 10V
80
70
60
50
40
30
Tem perature
1.5
1
0.5
V GS = 15V
T J = 25oC
20
10
0
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180 200
I D - Amperes
-50
-25
0 25 50 75 100 125
T C - Degrees Centigrade
150
175
? 2006 IXYS All rights reserved
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXTT75N10L2 | MOSFET N-CH 100V 75A TO268 |
| IXTT75N10 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-268 |
| IXTT88N30P | MOSFET N-CH 300V 88A TO-268 |
| IXTT96N15P | MOSFET N-CH 150V 96A TO-268 |
| IXTT96N20P | MOSFET N-CH 200V 96A TO-268 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IXTT75N10 | 功能描述:MOSFET 75 Amps 100V 0.02 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT75N10L2 | 功能描述:MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 100V 75A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT75N15 | 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
| IXTT75N20L2 | 功能描述:MOSFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTT80N20L | 功能描述:MOSFET Standard Linear Power MOSFETs RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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