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参数资料
| 型号： | IXTV110N25TS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD |
| 产品目录绘图： | PLUS220SMD |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 157nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 694W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 管件 |
Trench TM
Power MOSFETs
IXTH110N25T
IXTV110N25TS
V DSS
I D25
R DS(on)
= 250V
= 110A
≤ 24m Ω
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Rectifier
TO-247 (IXTH)
Symbol
V DSS
Test Conditions
T J = 25 ° C to 150 ° C
Maximum Ratings
250
V
G
D
S
D (Tab)
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C, R GS = 1M Ω
250
V
V GSS
V GSM
I D25
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
± 20
± 30
110
V
V
A
PLUS220SMD(IXTV_S)
I L(RMS)
I DM
I A
E AS
External Lead Current Limit
T C = 25 ° C, Pulse Width Limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
75
300
25
1
A
A
A
J
G
S
D (Tab)
P D
dv/dt
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , V DD ≤ V DSS , T J ≤ 150°C
694
10
W
V/ns
G = Gate
S = Source
D = Drain
Tab = Drain
T J
T JM
-55 to +150
+150
° C
° C
T stg
T L
T SOLD
M d
F C
Weight
1.6mm (0.063in) from Case for 10s
Plastic Body for 10s
Mounting Torque (to-247)
Mounting force (PLUS220SMD)
TO-247
PLUS220SMD
-55 to +150
300
260
1.13/10
11..65/2.5..14.6
6
4
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
N/lb.
g
g
Features
International Standard Packages
Avalanche Rated
High Current Handling Capability
Fast Intrinsic Rectifier
Low R DS(on)
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
Easy to Mount
Space Savings
BV DSS
V GS = 0V, I D = 250 μ A
250
V
High Power Density
V GS(th)
V DS = V GS , I D = 1mA
3.0
5.0
V
I GSS
V GS = ± 20V, V DS = 0V
± 200
nA
Applications
I DSS
R DS(on)
V DS = V DSS , V GS = 0V
T J = 125 ° C
V GS = 10V, I D = 0.5 ? I D25 , Notes 1, 2
5 μ A
250 μ A
24 m Ω
DC-DC Converters
Battery Chargers
Switch-Mode and Resonant-Mode
Power Supplies
DC Choppers
AC Motor Drives
Uninterruptible Power Supplies
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
DS99904B(05/12)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IXTV18N60PS | 功能描述:MOSFET 18.0 Amps 600 V 0.42 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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