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参数资料
| 型号： | IXTV110N25TS |
| 厂商： | IXYS |
| 文件页数： | 5/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD |
| 产品目录绘图： | PLUS220SMD |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 110A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 55A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 157nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 694W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PLUS-220SMD |
| 供应商设备封装： | PLUS-220SMD |
| 包装： | 管件 |
IXTH110N25T
IXTV110N25TS
30
Fig. 13. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Junction Temperature
32
Fig. 14. Resistive Turn-on
Rise Time vs. Drain Current
28
R G = 2 ? , V GS = 15V
V DS = 125V
30
R G = 2 ? , V GS = 15V
V DS = 125V
T J = 25oC
28
26
26
24
I
D
= 110A
24
I
D = 55A
22
T J = 125oC
22
20
20
18
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
T J - Degrees Centigrade
Fig. 15. Resistive Turn-on
Switching Times vs. Gate Resistance
I D - Amperes
Fig. 16. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Junction Temperature
50
31
38
74
45
t r t d(on) - - - -
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 125V
29
34
t f t d(off) - - - -
R G = 2 ? , V GS = 15V
V DS = 125V
70
40
I
D
= 110A, 55A
27
30
I D = 55A
66
35
25
26
62
I D = 110A
30
25
20
23
21
19
22
18
14
58
54
50
2
3
4
5
6
7
8
9
10
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
R G - Ohms
Fig. 17. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Drain Current
T J - Degrees Centigrade
Fig. 18. Resistive Turn-off
Switching Times vs. Gate Resistance
32
100
110
240
30
28
t f t d(off ) - - - -
R G = 2 ? , V GS = 15V
V DS = 125V
T J = 25oC
90
80
90
t f t d(off) - - - -
T J = 125oC, V GS = 15V
V DS = 125V
I D = 55A, 110A
200
70
160
26
70
T J = 125oC
50
120
24
T J = 25oC
60
22
50
30
80
T J = 125oC
20
40
10
40
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I D - Amperes
? 2012 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
R G - Ohms
IXYS REF: T_110N25T(8W)5-14-12-B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| IXTV120N15T | 功能描述:MOSFET 120 Amps 150V 14 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV130N15T | 功能描述:MOSFET 130 Amps 150V 12 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV18N60P | 功能描述:MOSFET 18.0 Amps 600 V 0.42 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV18N60PS | 功能描述:MOSFET 18.0 Amps 600 V 0.42 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IXTV200N10T | 功能描述:MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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